|
|
|
| 硅锗量子阱埋沟场效应晶体管 |
| 胡际璜, 王迅 |
| 复旦大学应用表面物理国家重点实验室,上海200433 |
|
|
|
| 摘要 现代科学技术的发展、自动化程度的提高、计算机应用的普及,需要越来越多的高速大规模、超大规模集成电路.金属/氧化物/半导体场效应晶体管(MOSFET) 由于其工艺简单、产额高、功耗低、抗干扰能力强、输入阻抗高、易于大规模集成,在大规模集成电路领域内很受人们青睐.尤其是互补型金属/氧化物/半导体场效应晶体管(CMOS)电路,可在单电流下工作,且工作电压范围广、噪声容限大、集成度高.几乎有取代双极型晶体管集成电路的趋势.然而,CMOS电路的速度因受ρ沟MOS中空穴迁移率的限制,不如双极型器件的快,使它的应用受到一定的限制.如能提高它的工作速度,则可使MOS电路具有更强的生命力. |
|
| 关键词： 硅锗量子阱
埋沟结构
半导体场效应晶体管
空穴迁移率
热载流子
杂质散射
MOSFET
有效质量
MOS器件
沟道
|
| Abstract：
|
| Key words： |
|
收稿日期: 1992-09-13;
|
|
引用本文: |
|
胡际璜,王迅. 硅锗量子阱埋沟场效应晶体管[J]. 现代物理知识, 1993, 5(06): 10-11.
|
|
|
|
|
|
|
|
$author.xingMing_EN,$author.xingMing_EN. [J]. Modern Physics, 1993, 5(06): 10-11.
|
| [1] |
杨军,许艳. 方兴未艾的磁致电阻研究[J]. 现代物理知识, 2005, 17(03): 33-35. |
| [2] |
孙秀平. 微电子技术及其发展[J]. 现代物理知识, 2002, 14(03): 6-8. |
| [3] |
张延曹, 袁玄义, 王永昌. 离子注入物理在微电子技术中的应用[J]. 现代物理知识, 1996, 8(05): 31-34. |
| [4] |
陈百万. 硬X射线激光器研制进展[J]. 现代物理知识, 1996, 8(01): 35-37. |
|
|
|
|
