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| 摘要 如果你有机会到复旦大学应用表面物理国家重点实验室来参观,走进分子束外延组,隔着宽敞的玻璃窗,你将看到一台大型实验设备.中间是三个大小不等、银光闪闪的超高真空腔体,上边接满了一根根电缆线,还有液氮管道、冷却水管、压缩空气管,一眼望去真有点叫人眼花缭乱;四周是几只高大的机柜,安装着一台台精密电子仪器.这就是我国第一台锗硅分子束外延设备,已经在这里服役六年多,状态良好,至今仍是国内唯一投入运行的IV族半导体材料的分子束外延系统,为我国在IV族半导体超晶格量子阱的某些研究领域保持世界先进水平立下汗马功劳. |
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| 关键词： 锗硅异质结构
分子束外延生长
特性研究
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| Abstract：
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| Key words： |
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收稿日期: 1992-07-14;
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引用本文: |
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卫星. 锗硅异质结构的分子束外延生长和特性研究[J]. 现代物理知识, 1993, 5(02): 18-20.
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$author.xingMing_EN. [J]. Modern Physics, 1993, 5(02): 18-20.
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