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摘要 中科院半导体所云集着黄昆、林兰英等一流物理学家和一大批有作为的中青年学者,他们在半导体物理,特别是在半导体超晶格物理的理论研究、半导体超晶格的光谱物理、超晶格低维系统的输运特性、超晶格量子阱中杂质、深能级行为、超晶格、多层异质结构材料诸方面获得众多成果,在世界半导体物理领域占有重要地位.根据灰色文献的定义,我们将该所学者在国际会议报告和将发表的论文有选择地摘录发表.供广大读者参考. |
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关键词: 超晶格
AIGaAs
ZnTe
深能级
CdTe
半导体物理
DLTS
共振隧穿
电子陷阶
压力系数
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Abstract:
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Key words: |
收稿日期: 1992-03-07;
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引用本文: |
沙恩. 中国科学院半导体所近年论文摘编[J]. 现代物理知识, 1993, 5(06): 26-29.
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$author.xingMing_EN. [J]. Modern Physics, 1993, 5(06): 26-29.
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