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摘要 一、振奋人心的发现单晶硅是半导体器件和大规模集成电路的重要材料,几十年来,对其结构和物理性能已研究得相当充分.过去的研究认为,由于硅单晶的能隙很窄,而且是间接能级,以致硅的发光局限于红外波段范围,而且发光效率低,响应慢,不可能应用于光电器件.但是,1990年英国科学家堪汉(L.T.Canham)发现,当用短波长的光照射多孔硅(porous silicom)时,从硅中能发出输出水平相当高的可见光.这一发现在光电子学领域引起轰动,因为它可能打开以硅为基础的光电子学的大门,开辟用硅来制作先进显示元件和计算机存贮元件的应用前景. |
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关键词: 多孔硅
单晶硅
阳极氧化
季会
光电子学
兰移
孔隙率
氧化电流密度
存贮元件
硅单晶
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Abstract:
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Key words: |
收稿日期: 1991-07-12;
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引用本文: |
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$author.xingMing_EN. [J]. Modern Physics, 1992, 4(04): 16-17.
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