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| 摘要 硅和砷化镓的电子结构不同.前者属于间接带隙半导体,电子在价带和导带间的跃迁需要伴随声子的吸收或发射;而砷化镓属于直接带隙半导体,电子可以直接在价带和导带间跃迁.正是由于这个原因,砷化镓的发光效率远远大于硅.目前半导体光电器件均由砷化镓等直接带隙半导体制成.多孔硅是在单晶硅表面上制成的厚度约1—10μm的薄膜,其中含有百分之几十的孔隙,孔隙的横向直径很小,其量级为10nm,而高度可达μm量级.多孔硅在硅器件上有一定的应用前景.多年来不断有论文发表. |
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| 关键词： 多孔硅
研究近况
砷化镓
直接带隙半导体
电致发光
价带
导带
跃迁
间接带隙半导体
单晶硅表面
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| Abstract：
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| Key words： |
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收稿日期: 1991-07-19;
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引用本文: |
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$author.xingMing_EN. [J]. Modern Physics, 1992, 4(06): 19-19.
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