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| 摘要 经过近20年的发展,非晶半导体的研究——特别是氢化非晶硅(α-Si:H)——已成为当前凝聚态物理和固态电子学中最活跃的领域之一.这类新型的电子材料之所以能引起人们的极大兴趣和高度重视,是因为这类材料具有广阔的应用前景,而它的性质却还未得到理论上的解释;薄膜制备技术还需进一步改进、完善,器件的重要用途尚在研究与探索之中.当今大家所熟悉的晶体管、集成电路以及由其作为有源元件制备的收音机、电视机、计算机等都是以晶态半导硅(C-Si)和砷化镓(C-GaAs)等材料制成. |
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| 关键词： 大面积电子学
非晶半导体薄膜
固态电子学
有源驱动
多结结构
X光探测器
图象传真
非晶态半导体
TFT阵列
有源材料
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| Abstract：
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| Key words： |
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收稿日期: 1990-06-08;
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引用本文: |
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陈坤基. 非晶半导体薄膜与大面积电子学[J]. 现代物理知识, 1991, 3(03): 12-11.
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$author.xingMing_EN. [J]. Modern Physics, 1991, 3(03): 12-11.
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| [1] |
陈光华. 非晶半导体基本理论及目前发展概况[J]. 现代物理知识, 1993, 5(02): 15-17. |
| [2] |
王良御. 液晶电视[J]. 现代物理知识, 1991, 3(03): 14-13. |
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