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现代物理知识  1990, Vol. 2 Issue (03): 19-21    DOI:
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半导体超晶格量子阱研究
徐仲英, 孔梅影
 全文: PDF (557 KB)   HTML (1 KB)   输出: BibTeX | EndNote (RIS)      背景资料
摘要 自从1969年美国IBM公司的江畸(L.Esaki)和朱兆祥提出超晶格概念以来,半导体超晶格量子阱的研究巳成为半导体领域自40年代末单晶和晶体管问世以来所发生的最重大事件.这个研究领域之所以倍受重视,除了因为有明显的技术应用前景之外,还因为在物理上它提供了一个极好的、能在实验上观测量子尺寸效应的理想模型.
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徐仲英
孔梅影
关键词半导体超晶格   超晶格量子阱   薄层   异质结   势阱   外延方法   光电器件   价带   能级   势垒     
Abstract
Key words:   
收稿日期: 1989-10-12;
引用本文:   
徐仲英,孔梅影. 半导体超晶格量子阱研究[J]. 现代物理知识, 1990, 2(03): 19-21.
$author.xingMing_EN,$author.xingMing_EN. [J]. Modern Physics, 1990, 2(03): 19-21.
 
没有本文参考文献
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