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| 微纳技术及微纳机电系统（下） |
| 鲍海飞 |
| 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 200050 |
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| 摘要 几乎在集成电路起步发展的同时，在1950 年，巴丁（John Bardeen）和肖克利（W.Shockley）预言了单晶半导体在外力作用下形变，并会有相当大的电导变化。1954 年，来自美国凯斯西储大学（Case WesternReserve University）的史密斯（C.S. Smith）到贝尔实验室进行访问工作，报道了“掺杂硅和锗中，在剪切应力作用下具有相当大的压阻剪切系数”，由此，标志着在微尺度上硅的传感性能研究的开始，如应变计、压力传感器、加速度计、力/位移传感器等。 |
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| 关键词： |
| Abstract：
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| Key words： |
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引用本文: |
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鲍海飞. 微纳技术及微纳机电系统（下）[J]. 现代物理知识, 2013, 25(6): 41-52.
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$author.xingMing_EN. [J]. Modern Physics, 2013, 25(6): 41-52.
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