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现代物理知识  2006, Vol. 18 Issue (02): 12-13    DOI:
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光电效应与光电器件的应用
郑冬梅1, 闫迎利2
1. 福建三明学院应用物理系 365004;
2. 河南安阳师范学院物理系 455000
 全文: PDF (108 KB)   HTML (1 KB)   输出: BibTeX | EndNote (RIS)      背景资料
摘要 一、光电效应及其理论解释著名物理学家赫兹为了验证麦克斯韦预言的电磁波,于1887年发现当光照射在金属表面时,电子可以从金属中脱出这一物理现象。这一现象叫做光电效应,可以从金属中脱出的电子叫光电子。光电效应可以分为两类。一类是当光照射在金属表面时,电子从金属中脱出,叫做外光电效应。另一类是当光照射在某些半导体材料上时,被半导体材料吸收,并在其内部激发出导电的载流子(电子-空穴对),从而使得材料的导电率显著增加(所谓“光电导”);或者由于这种光生载流子的运动造成的电荷积累,使得材料两面产生一定的电位差(所谓“光生伏特”),这两种情况叫做内光电效应。光电效应的实验规律是光的波动理论无法解释的。
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郑冬梅
闫迎利
关键词光电效应   光电器件   光电耦合器   光敏电阻器   硅光电池   光敏二极管   光敏管   光敏三极管   光量子   万用表     
Abstract
Key words:   
收稿日期: 2005-08-11;
引用本文:   
郑冬梅,闫迎利. 光电效应与光电器件的应用[J]. 现代物理知识, 2006, 18(02): 12-13.
$author.xingMing_EN,$author.xingMing_EN. [J]. Modern Physics, 2006, 18(02): 12-13.
 
没有本文参考文献
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