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现代物理知识  2004, Vol. 16 Issue (01): 41-42    DOI:
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塞贝克效应与温差发电
许志建, 徐行
西安航空技术高等专科学校基础部, 陕西 710077
 全文: PDF (294 KB)   HTML (1 KB)   输出: BibTeX | EndNote (RIS)      背景资料
摘要 将两种半导体的一端结合在一起并使之处于高温状态(热端),而另一端开路且处于低温状态(冷端),则在冷端(T1)存在开路电压ΔV,这个效应称塞贝克效应。如图1所示。塞贝克电压ΔV与热冷两端的温度差ΔT成正比,即ΔV=αSΔT=αSΔ(T2-T1)(1)图1塞贝克效应其中αS称为塞贝克系数,其单位是V/K或μV/K。塞贝克系数由材料本身的电子能带结构决定的。
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许志建
徐行
关键词塞贝克效应   半导体热电材料   温差发电机   塞贝克系数   分子束外延   量子阱结构   热导率   高等专科学校   二维电子气   半导体制冷器     
Abstract
Key words:   
收稿日期: 2003-04-26;
引用本文:   
许志建,徐行. 塞贝克效应与温差发电[J]. 现代物理知识, 2004, 16(01): 41-42.
$author.xingMing_EN,$author.xingMing_EN. [J]. Modern Physics, 2004, 16(01): 41-42.
 
没有本文参考文献
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